SJ 50033.65-1995 半导体分立器件.3DD175型低频大功率晶体管详细规范
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ID： |
732CD0E93D1248B4BF4B163056975392 |
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0.45 |
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11 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/65-1995,半导体分立器件,3DD175型低频大功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DD175,low -frequency and high—power transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DD175型低频大功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DD175,low - frequency And high-power transistor,SJ 50033/65-1995,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DD175B.G型低频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研究、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范）1,3的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2弓I用文件,GB 4587— 84,GB 7581—87,GJB 33-85,GJB128—86,双极型晶体管测试方法,半导体分立器件外形尺寸,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,3要求,3.I详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和除层,引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或银层,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12 01 实施,SJ 50033/65-1995,3.2.2 器件结构,采用扩散台面或外延台面结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB7581的B2~O1D型或B2-02B型及如下的规定。见图な和图1b,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,注:l)Tc>25t时按3.QW/七的速率线性地降额,型 号,戶曾,T� = 25V,(W),匕:BO,(V),匕如,(V),Vebo,(V),几,(A) ①),J,(匕),3DD1 乃 B,450,150 100,5 30 175 -55-175,3DDL75C 200 150,3DD175D 250 200,3DD175E 350 250,3DD175F 450 300,mm,B2-01D,符典r,min nom max,A 12.0 15-5,他1,他3,初33.0,d 95*,F 3.於,L 17.0,Lt 1.5,虹54 5.3,q 42.7 43,3,号18,修5,s 25.0*,Ui 53.3,U1 36.0,1一基板,2ー发射极,集电极接外壳,2,下载,SJ 50033/65-1995,mm,图1 3DD175外形图,3-3-2主要电特性（Ta = 25匕）,や限值,型号 、,九FE：,Vce = 5V,几=15 A,Vgt,Ic=15A,rB=1.5A,(V),g5A,ヽ=1.5A,(V),fr,匕x=12V,% = 5A,/=0.3频,(MHz),R (姉万ーr,3iov,Ic = 2A,(匕/w),最大值最大值最小值最大值,3DD175B-F,黄:25~80,绿:60~18,2.0 2.0 1.0 0.33,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质量保证规定,3,SJ 50033/65-1995,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范:表!的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,筛 选,（见GJB 33的表2）,测试或试验,7.中间电参数测试1面1和木掘1,8.功率老化功率老化条件如下I,Tj = 162,5±12.51C,Vce = 25V,Ptot>225W,9.最后测试按本规范表1的A2分组,△1而14初始值的1。。％或1.0mA。取较大者,厶んFEI言初始值的土 2。%,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检睑应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验方法,检验方法应按本规范相应的表和下列规定;,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试条件应按GJB 128的3.3.2.I的规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 4587,LTPD 符 号,极限值,单位,方 法条 件最小值最大值,A1分组,外观及机械检验,GJB 128,2071,5,A2分组,集电极ー发射极,击穿电压,本规范,附录A,发射极一基扱开路;,厶二10mA,5,匕 BR1CFO,4,SJ 50033/65-1995,续表1,检验或试验,GB 4587,LTPD 符 号,极限值,单位,方 法条 件最小值最大值,3DD175B,3DD175C,3DD175D,3DD175E,3DD175F,发射极一基极……
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